爆料者透露高通骁龙8 Gen 4 SoC将基于台积电N3E工艺打造

【CC博客】8月2日消息，据外媒报道，爆料者透露，高通骁龙8 Gen 4 SoC将基于台积电N3E工艺打造。

N3E工艺是台积电3nm制程工艺的第二次迭代，该制程工艺的良率据说更高，这意味着将正确生产更多芯片，从而降低生产成本。与常规的N3工艺相比，N3E工艺制造的芯片可能会有更好的功耗和性能表现。

有传闻称，苹果的A17芯片也将基于台积电的3nm工艺打造，但采用的是第一代N3工艺。据报道，苹果已经获得了台积电N3工艺出货量的90%。

此前，还有传言称，苹果的M3芯片将采用台积电的3nm或者N3工艺制造。但今年4月份，传闻称，M3芯片预计将采用台积电的N3E工艺制造。

2021年，高通以14亿美元价格收购了Nuvia。外媒称，收购Nuvia后，高通的骁龙8 Gen 4芯片将不再使用ARM的标准CPU设计。

爆料者称，除了基于台积电的N3E工艺打造之外，这款芯片将采用自研的Nuvia CPU架构，搭载Nuvia的Phoenix核心，其中包括2个Phoenix L核心和6个Phoenix M核心。

据外媒报道，高通骁龙8 Gen 3芯片将于今年10月份推出，它将为2024年的大多数安卓旗舰产品提供动力，而骁龙8 Gen 4芯片预计将于2024年底推出。（小狐狸）